Академик АН СССР (1981). Вице-президент АН СССР (1988–1991). Член Президиума РАН (1991–2001). Советник Президиума РАН (2001). Председатель Президиума Научного центра РАН в Черноголовке (1980-2003). Председатель Научного совета по физике конденсированных сред РАН (1972), секции космической технологии и материаловедения Научного совета по космосу РАН (1998) и Российского авиакосмического агентства (1998). Член Научного совета РАН программы «Фуллерены и атомные кластеры» (2001), Член Президентского совета СССР (1988–1991), Комиссии при Президенте РФ по государственным премиям в области науки и техники (1992), Российского комитета учёных за ядерное разоружение (1982). Председатель Национального комитета российских кристаллографов (1997). Член ряда иностранных Академий наук и физических обществ. Вице-президент (1979–1985), президент (1990–1994) Международного Союза теоретической и прикладной физики (IUPAP). Главный редактор журналов «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» (1995), «Квант» (1985),  «Материаловедение» (1997), «Physics of low-dimensional structures» (1998).

 

Герой Социалистического Труда (1986). Награжден орденами Ленина (1981, 1986), Трудового Красного Знамени (1971, 1975), «За заслуги перед Отечеством»  II степени (1999), а также медалями. Лауреат международной премии и золотой медали им. А. П. Карпинского (1990). Награжден золотой медалью им. П. Н. Лебедева (АН СССР, 1984) Большой Золотой медалью имени М.В. Ломоносова РАН  (2006).

 

Основатель (вместе с ак. Г.В. Курдюмовым в 1962 г.), директор и научный руководитель Института физики твёрдого тела РАН, профессор и зав. кафедрой физики твёрдого тела Московского физико-технического института, профессор и зав. кафедрой конденсированного состояния вещества МГУ имени М.В. Ломоносова.

 

Ю. А. Осипьян внёс выдающийся вклад в физику твёрдого тела, в том числе в следующие её разделы:

• физика дислокаций в полупроводниках,
• физика поверхности кристаллов,
• синхротронное излучение,
• фазовые превращения в твёрдых телах,
• физика сверхпроводимости,
• физика молекулярных кристаллов,
• физика и техника высокопрочных кристаллических материалов.

 

Создал и развил новое направление физики твёрдого тела, связанное с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах. Экспериментально обнаружил новые физические явления – фотопластический эффект в полупроводниках, электропластический эффект, электрический заряд на дислокациях в полупроводниках, кластеры «оборванных» валентных связей на ядрах дислокаций в кремнии, инверсию типа проводимости полупроводников при введении дислокаций разной полярности, квазиодномерные электронные зоны, связанные с дислокациями,  комбинированный резонанс электронов на дислокациях. Установил влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников. Возглавил работы в области высокотемпературной сверхпроводимости в нашей стране. По его инициативе в Институте физики твёрдого тела РАН был проведён ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Работы посвящены также изучению механических и физических свойств фуллеритов и нано-композиционных углеродных материалов на основе молекул фуллерена и нанотрубок.

 

Создатель научной школы в области дислокаций и дефектов в кристаллах. Подготовил 20 кандидатов и 12 докторов наук. Опубликовал около 300 научных работ.